项目简介：

国内第三代移动通信和LTE 网络建设需要大量的基站设备，而其中的射频功率器件全部依

赖于进口，大大限制了基站产品成本的进一步降低及性能和设计灵活度的提高。 GaN器件阻抗比LDMOS器件阻抗

高，易于实现超宽带匹配；具有5W/mm以上的功率密度，在2.5GHz以上具有更高的效率，易于实现小型化；单一

器件具有百瓦以上的输出功率，易于满足基站的大功率要求；在C、X波段具有优越的性能，是未来5G通信的唯一

选择。 课题目标： 突破射频功率放大管的关键技术，利用01专项支持的GaN国产工艺技术，自主研发满足

2G/3G/4G移动通信射频功率放大管，并通过验证。 技术方案： 本课题拟基于国产SiC衬底材料，0.5μmGaN工艺

技术，突破GaN材料结构设计、双场板结构设计、热

技术/产品创新性：

完成宽带Doherty 功放在100MHz DPD 平台中验证以及双频 Doherty 功放的低复杂度2D-DPD 实验验证； 2、完成代表器件的 直流老化试验，Tch=200℃，直流功率老炼1000 小时，老炼后性 能指标满足要求，功率变化量≤0.6dB； 3、课题验收研制总结报 告，发明专利的申请，相关技术文件的编写

知识产权情况：

行业情况：

市场情况：

项目团队情况：