项目简介：

靶材炼制工艺如下图所示：

所制备的靶材(382mm×128mm×14mm)在溅射成电阻器薄膜后,电阻温度系数小(≤25×10-6/℃),电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧,刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小),因此,在本靶材研究中,将选择Cr、Si作为高阻靶材的主体材料。由于Cr、Si熔点高,原子移动性低,因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属Cr中引入半导体材料Si来提高电阻器合金膜的阻值。Cr是很好的吸收气体的金属元素,在电阻器薄膜溅射过程中,可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率,同时调节电阻温度系数。 技术指标如下： 温度冲击实验后ΔR/R≤±0.5%,过载实验后ΔR/R≤±0.5%,寿命实验后ΔR/R≤±1.0%,电阻温度系数TCR≤±20×10-6/℃。

技术/产品创新性：

无

知识产权情况：

行业情况：

市场情况：

Cr-Si中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数（TemperatureCoefficientofResistance,TCR）等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的TCR在温度变化时会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。

项目团队情况：

天津大学是教育部直属国家重点大学，其前身为北洋大学，始建于1895年10月2日，是中国第一所现代大学，素以“实事求是”的校训、“严谨治学”的校风和“爱国奉献”的传统享誉海内外。1951年经国家院系调整定名为天津大学，是1959年中共中央首批确定的16所国家重点大学之一，是“211工程”、“992工程”首批重点建设的大学。