高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
徐鹏飞
-/先进制造与自动化
靶材炼制工艺如下图所示:
所制备的靶材(382mm×128mm×14mm)在溅射成电阻器薄膜后,电阻温度系数小(≤25×10-6/℃),电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧,刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小),因此,在本靶材研究中,将选择Cr、Si作为高阻靶材的主体材料。由于Cr、Si熔点高,原子移动性低,因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属Cr中引入半导体材料Si来提高电阻器合金膜的阻值。Cr是很好的吸收气体的金属元素,在电阻器薄膜溅射过程中,可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率,同时调节电阻温度系数。 技术指标如下: 温度冲击实验后ΔR/R≤±0.5%,过载实验后ΔR/R≤±0.5%,寿命实验后ΔR/R≤±1.0%,电阻温度系数TCR≤±20×10-6/℃。